O646.541
将Taguchi试验方法用于Ni-Mo复合电沉积过程,从而筛选出最佳工艺条件,在此最佳工艺条件下所得镀层的析氢过电位η100仅为167.3mV.
张景尧,刘松琴,郑秋容.复合电沉积的Taguchi设计[J].食品与生物技术学报,1998,17(2)..[J]. Journal of Food Science and Biotechnology,1998,17(2).
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